基本特性

单结晶体管的基极b1、b2之间不加电压时，发射极e与两个基极间如同一般的晶体二极管，具有单向导电性。若按照图(a)所示的实验电路，在基极b2和b1之间接上正向电源Go,在发射极e与第一基极b1之间接上正向电源G。,它将表现出独特的性能。首先，电源Gn,在硅片的等效电阻Rc2、Ro1上会产生电压降，这会在A点与第一基极b1之间形成一个电压UA,它由等效电阻R和Ro,对Gc6的分压所决定。这时如果想让发射极e、第一基极b1间导通，所加电压U。必须超过UA电压0.7V(硅二极管开始导通的正向电压)才行。当U。低于UA时，发射极e、第一基极b1之间呈现截止状态，发射极电流/。很小；当U。≥UA+0.7V时，e、b1之间立即导通，大量的空穴进入N型硅片，降低了A点到第一基极b1之间的电阻Ro1。因此，在基极间电阻Rc2和Ro,上的电压分布也改变了，结果U降低，PN结进一步被正向偏置，有更多的空穴进入N区，形成正反馈。于是/。迅速增加，并且由于Ro;阻值的迅速减小，e、b1之间的电压U。也会迅速下降，其特性曲线如图(b)所示。因为随着/。的增加使管压降U反而减小的现象与一般电阻的性质(工作电流与电压成正比关系)刚好相反，所以我们就称这一现象为负阻特性，称单结晶体管是一种电流控制型负阻器件。这种负阻特性是单结晶体管与普通晶体二极管的根本区别所在。

图单结晶体管的特性

文章来源：不可不知的36种电子元器件（第二版）。作者：张晓得东。版权归原作者。如涉版权请联系删除。